主要用于半導體前道制程中的蝕刻、薄膜沉積、離子注入、灰化等核心關鍵工序。
采用靜電吸附原理進行超薄潔凈晶圓片的平整均勻夾持，具有吸附力均勻、無污染、無損以及可應用于高真空環境等特點。
材質為氧化鋁陶瓷（庫倫型，純度96%、99.6%），可提供12英寸及其以內產品，工作溫度-30～+180℃；陶瓷表面可開槽、壓花，粗糙度可選。
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